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lm5060
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2021-01-17T18:01:35+00:00
LM5060 data sheet, product information and support
The LM5060 highside protection controller provides intelligent control of a highside Nchannel MOSFET during normal on/off transitions and fault conditions Inrush current is LM5060的高边保护控制器，具有低静态电流 [LM5060 HighSide Protection Controller with Low Quiescent Current] 分类和应用： 控制器 文件页数/大小： 33 页 / 1161 K 品牌： LM5060 (TI [LM5060的高边保护控制器，具有低静态电流 2018年8月8日 Texas Instruments LM5060Q1高侧保护控制器 Texas Instruments LM5060Q1高侧保护控制器具有低静态电流，可在正常开/关转换和故障情况下智能控制高侧N沟 LM5060Q1高侧保护控制器 TI Mouser
LM5060实现12V 80A的原理图 电源管理论坛 电源管理
关于LM5060芯片，电路如下图，板卡会经常热插拔，电源为12V@80A，为实现热插拔保护，问题如下：麻烦帮助review原理图。 a、 电路麻烦帮忙检视，是否有问题； b、 图中 LM5060 参数 Datasheet PDF下载 型号： LM5060 PDF下载： 下载PDF文件 查看货源 内容描述： LM5060的高边保护控制器，具有低静态电流 [LM5060 HighSide Protection LM5060 (TI [LM5060的高边保护控制器，具有低静态电流 2021年10月22日 Analog Embedded processing Semiconductor company TIAnalog Embedded processing Semiconductor company
LM5060: Driving 2 NCH Mosfet (in back to back
2022年12月8日 The LM5069 and LM5060 (as well as our hotswap devices) have not been tested for reverse current applications (bidirectional applications) If short circuit LM5060 HighSide Protection Controller with Low Quiescent Current, LM5060 Datasheet, LM5060 circuit, LM5060 data sheet : TI, alldatasheet, Datasheet, Datasheet search site LM5060 Datasheet(PDF) Texas Instruments描述 The LM5060 highside protection controller provides intelligent control of a highside Nchannel MOSFET during normal on/off transitions and fault conditions Inrush current is controlled by the nearly constant rise time of the output voltage A POWER GOOD output indicates when the output voltage reaches the input voltage and the LM5060MM/NOPB（TI(德州仪器)）LM5060MM/NOPB中文
LM5060Q1高侧保护控制器 TI Mouser
Texas Instruments LM5060Q1高侧保护控制器具有低静态电流，可在正常开/关转换和故障情况下智能控制高侧N沟道MOSFET。将关闭的N沟道MOSFET和开关的LM5060到一个非常低的静态电流关断状态。 一个活跃 低功率良好输出引脚被设置来报告N沟道MOSFET的状态。 之前的等待时间 MOSFET被之后检测可与外部定时电容器来调节故障状态被关闭。 由于LM5060采用恒定电流源的外部N沟道MOSFET的 LM5060 (TI [LM5060的高边保护控制器，具有低静态电流 LM5060Q1 工厂包装数量: 工厂包装数量: 1000 子类别: PMIC Power Management ICs 单位重量: 23700 mg 要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。LM5060Q1MM/NOPB Texas Instruments Mouser
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A constant current sink (55 µA typical) is provided to guarantee the UVLO pin is low in an open circuit condition A voltage less than 08V on the EN pin switches the LM5060 to a low current shutdown state A voltage greater than 20V on the EN pin enables the internal bias circuitry and the UVLO comparator LM5060 Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: PMIC Power Management ICs Unit Weight: 0 oz Select at least one checkbox above to show similar products in this categoryLM5060MM/NOPB Texas Instruments MouserLM5060 Texas Instruments Power Management (PMIC) parts available at DigiKey ElectronicsLM5060 Texas Instruments Power Management (PMIC)
LM5060 HighSide Protection Controller With Low Qu
LM5060Q1,TPS7A1650,LM2903Q1汽车12V和24V电池输入保护参考设计 TI Designs Automotive 1kW 48V BLDC Motor Drive Reference Design MS TI K2GEVM ASSEMBLY BOM REVD 它会给线路和电器设备带来损伤。 例如：使电动机疲倒、堵转，从而产生数倍于 额定电流 的过电流，烧坏电动机；当电压恢复时，大量电动机的自起动又会使电动机的电压大幅度下降，造成危害。 引起电动机疲倒的电压称为临界电压 。 当线路电压降低到 欠压保护百度百科 Each channel is composed of one LM5060 which drives the gate of 2 Nmosfet in back to back (common source) configuration During lab test, I've unfortunately realized that the overcurrent protection implemented by the LM5060 is very slow: in fact, in case of overcurrent, the Nmosfet are disabled only after 45ms and this causes the mosfet damageLM5060: Driving 2 NCH Mosfet (in back to back
LM5060Q1高侧保护控制器 TI Mouser
Texas Instruments LM5060Q1高侧保护控制器具有低静态电流，可在正常开/关转换和故障情况下智能控制高侧N沟道MOSFET。Other Parts Discussed in Thread: TINATI , LM5060 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。 如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。[参考译文] TINA/Spice/LM5060：LM5060型号和OVP 1) Yes, that is the gate cutoff voltage and Vgateth is the LM5060's characteristic 2) When EN is low (the device is disabled), then the 22mA gate pull down current is activated This will sink the 24uA from the gate charge pump, drain the MOSFET's gate capacitance, and drain the output capacitors through the following path:LM5060Q1 Design Questions Power management
LM5060汽车 12V 和 24V 电池输入保护参考设计百度文库
LM5060汽车 12V 和 24V 电池输入保护参考设计 Texas Instruments and/or its licensors do not warrant the accuracy or completeness of this specification or any information contained therein Texas Instruments and/or its licensors do not warrant that this design will meet the specifications, will be suitable for your application or fit LM5060Q1,TPS7A1650,LM2903Q1汽车12电池输入保护参考设计pdf 我要下载 预览 56 MB 汽车电池电源线路在运行系统时容易出现瞬变。所需的典型保护包括过压、过载、反极性和跨接启动。在汽车的生命周期中，交流发电机可能会被更换为非OEM LM5060Q1,TPS7A1650,LM2903Q1汽车12V和24V电池输入 支持高边驱动的LM5060 LM5060是High Side Protection Controller，工作电压支持55V 65V，支持过压保护、欠压保护和过流保护，可调整的开通时间，通过控制EN引脚电压，可以开断输出。LM5060内部集成了电荷泵，不需要额外供电，可以实现24uA门极充电电动工具中七种高边驱动方案分析电子发烧友网
TI博文电池测试设备 (Battery Tester) 功率变换篇 TI模拟
LM5060与LM5069实现功率接口的保护器 当电池充电时，系统如果没有电流防倒灌保护，被测试电池将放电，会产生不可靠的的系统启动动作，同时在系统过压过流欠压保护时，如果只有主电路MOSFET关闭，电池仍然有电流倒灌的路径，因此附加输入输出接口保护器尤为重要。 LTC®4440 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 80V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 LTC4440 高端开关和MOSFET驱动器 亚德 产品详情 低静态电流：工作时为 8μA 可承受高达 MOSFET 限值的浪涌电压 宽工作电压范围：4V 至 72V 过流保护 可选的内部 315V / 50V 或可调的栅极箝位电压 反向输入保护至 –60V 可调的接通门限 具 MOSFET 应力加 LTC4380 高压热插拔控制器 亚德诺（ADI）半导体